Pamięci NAND flash były jednym z największych osiągnięć pchających technologie w ciągu ostatnich lat. Pamięć NAND jest stosowana w centrach danych, laptopach takich jak MacBook Air firmy Apple oraz w kartach pamięci.
Apple dodatkowo dodała skrzydeł pamięciom NAND Flash stosując je w swoich iPodach i iPhonach, których masowa sprzedaż pozwoliła obniżyć koszty pamięci o połowę.

Firma iSuppli Corp. przewiduje, że globalny rynek kart pamięci Flash urośnie z 530 mln sztuk w tym roku do 9,5 miliarda sztuk w roku 2013, a sam rynek będzie wart 26,5 miliarda dolarów. Głównym kierunkiem rozwoju pozostaną karty o wysokiej pojemności, głównie ze względu na rozwijający się rynek smartphonów, które posiadają coraz więcej funkcji (ekrany dotykowe, Wi-Fi czy możliwość oglądania video) i będą potrzebować większych pamięci

Problemem jest, zwiększanie gęstości pamięci NAND flash.
Obecnie, używany przez IMFT proces 25nm, dzięki połączanemu wysiłkowi firm Intel i Micron, jest najmniejszym procesem produkcji pamięci NAND jaki istnieje. To jest ważne, ponieważ od tego zależy, jak wiele danych można umieścić na przeznaczonej do tego przestrzeni.

Intel już dochodzi do rozmiarów atomowych w technice litografii. Litografia jest procesem tworzenia komórek i tranzystorów w krzemie, które są używane do do przechowywania bitów danych. W procesie 25nm komórki w krzemie są 3000 razy mniejsze niż ludzki włos. W tej skali, pojawiają się międzykomórkowe oddziaływania elektryczne, które stają się coraz większą przeszkodą. Jeden ze specjalistów, Michael Yang, twierdzi, że nikt nie badał czy jest możliwe stworzenie kości NAND w procesie mniejszym niż 20nm, i jeśli taka możliwość nie zostanie udowodniona, to może oznaczać kres możliwości dla tej technologi. W dodatku liczba elektronów które można zmieścić w komórce pamięci, maleje z każdym zmniejszeniem procesu produkcji.

Pamięci Multilevel Cell (MLC) NAND, są najpowszechniejszym typem pamięci używanym obecnie. Pamięci MLC są pewną formą przejścia od możliwości umieszczenia tylko dwóch bitów w jednej komórce do możliwości umieszczenia trzech a nawet czterech bitów w pojedynczej komórce. Dodatkowe bity w komórce oznaczają 2 do 3 razy więcej programowania niż, w pamięciach SLC w których w każdej komórce może być tylko do 2 bitów danych. Zwiększanie liczby bitów w komórce nie zawsze jest najlepszym pomysłem, gdyż głównym mankamentem jest wzrost pojemności kosztem wydajności i niezawodności

IMFT ma ciągle nadzieje, że uda się usprawnić 3-bitowe komórki w procesie 25nm. W tym samym czasie szuka alternatywnych technologi takich jak pamięć Phase-Change Memory, pamięć Charge Trap Flash (CTF) oraz pamięć trójwymiarowa 3D-NAND.

Na razie nie ma pewnego następcy pamięci NAND flash, najbardziej obiecujące wydają się pamięci 3D-NAND. Jedno jest pewne - jakaś alternatywna technologia zostanie wymyślona.